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正电子湮没谱仪

正电子湮没谱仪包括寿命谱、多普勒展宽谱两套设备,测量正电子在材料中湮没时所发射出的γ射线与初始伴随γ射线的时间差以及湮没产生的γ射线的能量来研究材料微观缺陷结构。

寿命谱模块时间分辨率(BaF2)保证值 ≤ 200 ps、典型值 ≤ 180 ps;

多普勒展宽谱模块能量分辨率(HPGe):对1.332 MeV峰(Co-60)为1.85 keV、对122 keV峰(Co-57)为0.85 keV,峰康比为62:1,峰形参数FW0.1M/FWHM ≤ 1.9,FW0.2M/FWHM ≤ 2.6。

该测试技术属于无损检测技术,具有制样方便、容易操作等优点,可与透射电子显微镜等结合,对材料进行更全面表征。

利用正电子湮没谱仪可实现以下功能:

(1)表征金属及其合金因辐照、氢脆、形变等引起的空位、位错缺陷;

(2)研究半导体材料的抗辐加固相关问题;

(3)高分子复合材料的缺陷结构研究。